功率半導(dǎo)體是控制和轉(zhuǎn)換電源功率的電子元件，因其能承受高電壓和大電流故得名 "功率"。半導(dǎo)體的主要作用是信息處理，如運(yùn)算、記憶和信號(hào)處理；而功率半導(dǎo)體的主要作用是供應(yīng)、控制和轉(zhuǎn)換電源和電力。功率半導(dǎo)體可以處理高電壓和大電流，不僅可用于一般家用電器，還可用于電動(dòng)汽車（EV）電機(jī)和電池、太陽(yáng)能發(fā)電等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體與功率半導(dǎo)體的區(qū)別

半導(dǎo)體是同時(shí)具有導(dǎo)電體特性和絕緣體特性的材料。功率半導(dǎo)體是控制和轉(zhuǎn)換電源功率的電子元件，因其能承受高電壓和大電流故得名 "功率"。半導(dǎo)體的主要作用是信息處理，如運(yùn)算、記憶和信號(hào)處理；而功率半導(dǎo)體的主要作用是供應(yīng)、控制和轉(zhuǎn)換電源和電力。

功率半導(dǎo)體的特點(diǎn)

功率半導(dǎo)體的主要特點(diǎn)是能處理高電壓和大電流。 并且，它們?cè)诠ぷ鬟^(guò)程中的功率損耗小，設(shè)計(jì)上易于散熱，在節(jié)能和節(jié)電方面發(fā)揮了重要作用。功率半導(dǎo)體有多種類型，包括不帶開(kāi)關(guān)的 "二極管 "和高速開(kāi)關(guān)的 "功率晶體管"。

絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)

絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種功率晶體管，兼具 MOSFET 和雙極晶體管的特性。它們的工作電壓可高達(dá) 600-1200 V，并具有放大5-1000 A大電流的能力。

由于這些特性，IGBT 的應(yīng)用范圍非常廣泛，包括各種逆變器設(shè)備、空調(diào)、電磁爐、電力和電網(wǎng)、大型運(yùn)輸設(shè)備（如電氣化鐵路）、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療保健（如重離子束治療和核磁共振成像）、工業(yè)設(shè)備、機(jī)床和汽車功率半導(dǎo)體（包括電動(dòng)汽車的電機(jī)控制）等多個(gè)領(lǐng)域或設(shè)備中。

美蓓亞三美在經(jīng)營(yíng)各類精密零部件領(lǐng)域的同時(shí)還拓展了芯片業(yè)務(wù)，還通過(guò)提高封裝和模塊化技術(shù)及生產(chǎn)能力來(lái)擴(kuò)大功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。未來(lái)，美蓓亞三美將整合從功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)的垂直生產(chǎn)系統(tǒng)，并結(jié)合強(qiáng)大的電源相關(guān)產(chǎn)品，為客戶提供可處理大電流的創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體。